英特尔大连工厂：144层QLC即将到来

近日英特尔在大连存储技术制作与科研基地（下文简称英特尔大连工厂）举行了内存与存储媒体沟通会。

英特尔有两种类型的工厂大连英特尔地址，下图中蓝色的是晶圆制作工厂，绿色的是封装测试厂，其中大连工厂就是英特尔在亚洲唯一一家晶圆制作工厂。

大连工厂是英特尔在亚洲唯一一家晶圆制作工厂

英特尔大连工厂于2007年奠基大连英特尔地址，2011年实现全面投产，这座工厂总投资25亿美元114信息网MIP移动站，总建筑面积为16.3万平方米，其中洁净厂房的面积就达到1.5万平方米。英特尔大连工厂初期主要生产65nm生产工艺的芯片组等产品，到了2015年，英特尔宣布将投资55亿美元（这也是英特尔迄今在中国最大的单笔投资），将大连工厂升级为“非易失性存储”制造工厂。2016年7月，大连厂升级后的一期项目投产，次年发布的DC P4500/P4600系列数据中心级固态盘就使用了这里出产的3D NAND。2018年9月，二期项目投产。目前英特尔大连工厂：144层QLC即将到来，Intel最先进的96层3D NAND就是来自大连。

英特尔大连工厂的生产厂房有两座，分别为Fab 68和Fab 68A，负责生产英特尔3D NAND芯片的是Fab 68A。这座工厂一共分为4层，其中核心的无尘车间位于第三层。

英特尔采用的浮动栅极设计在编程擦写循环、单元间电荷隔离、数据持久性这几个方面都比电荷撷取设计更加优秀

英特尔目前的QLC颗粒已经采用96层堆叠，英特尔表示他们将在明年向合作伙伴提供采用144层堆叠的QLC产品。目前，QLC是每个Cell里面有16个电子状态，并且将来希望做到每个Cell有32个电子状态。也就是说，英特尔接下来还将推出PLC产品，并进一步提高密度。

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